Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
химико-термическая обработка, заключающаяся в комбинированном диффузионном насыщении поверхностного слоя металла (изделия) азотом и углеродом, приводящем к образованию слоя соединений, ниже которого находится лишь обогащенный азотом и углеродом диффузионный слой.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве