Зона транскристаллизации
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
твердость, определяемая как отношение нагрузки при вдавливании в испытуемый материал индентора – алмазной четырехгранной пирамидки с углом между гранями 136° к площади поверхности полученного отпечатка.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
полимер этилена [этена].
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.