Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
твердость, определяемая как отношение нагрузки при вдавливании в испытуемый материал индентора – алмазной четырехгранной пирамидки с углом между гранями 136° к площади поверхности полученного отпечатка.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве