Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
материал с твердой матрицей, заполненный газовой фазой; нанопена обладает низкой плотностью; нанопена содержит наноструктурированную матрицу, состоящую, например из полостей и стенок с размерами в нанодиапазоне или/и газовую нанофазу из наноразмерных пузырьков [закрытая нанопена].
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.