ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток.
У полевых трансформаторов три электрода: сток, исток и затвор....
Достоинство полевого транзистора заключается в том, что электрический ток затвора (входного электрода...
К основным параметрам полевых транзисторов можно отнести:
Напряжение отсечки....
Напряжения между стоком и затвором, между затвором и истоком, между стоком и истоком....
Резистивный ток должен быть в 5-10 раз больше, чем ток управления базы.
Рисунок 1.
Представлены результаты сравнительного исследования термостабильности параметров по постоянному току и СВЧ-сигналу GaAs pHEMT на основе CuGe омических контактов и Ti/Mo/Cu затвора и GaAs pHEMT, с металлизацией на основе CuGe-соединения, полученного низкотемпературной обработкой в потоке атомарного водорода. Транзистор с CuGe металлизацией и длиной затвора 170 нм имел максимальный ток стока 560 мА/мм, напряжение пробоя затвор-сток 7 В, крутизну 380 мСм/мм при Uси = 3 В. Максимальный коэффициент усиления по току транзистора составлял 16.8 дБ на частоте 10 ГГц при граничной частоте отсечки по току в 80 ГГц. Термоиспытания транзисторов обоих типов, проводившиеся при температуре 250ºC в течение 120 мин в атмосфере азота, показали, что pHEMT с медно-германиевой (CuGe) металлизацией обладает существенно большей термостабильностью электрических параметров, чем транзистор на основе CuGe омических контактов и Ti/Mo/Cu затвора.
эмиттерный переход - обратное смещение, коллекторный прямое), насыщенный режим (оба перехода открыты), режим отсечки...
Электрические токи в биполярных транзисторах имеют две основные составляющие: электрический ток носителей...
Ток основных носителей эмиттера, частично проходящий через коллектор, тем самым образует ток основных...
образует его обратный ток....
Транзисторы с изолированным затвором.
Разработана управляемая технология создания MHEMT на GaAs с Lg до 50 нм, которая позволила разработать методику и построить масштабируемые малосигнальные эквивалентные схемы и шумовые модели MHEMT с частотой отсечки тока до 300 ГГц. Приводятся результаты моделирования и сравнение этих результатов с измеренными S-параметрами и коэффициентами шумов для транзисторов с шириной Т-образных затворов от 2×30 до 2×80 мкм и длинами от 50 до 250 нм.
насос, встроенный внутрь оболочки генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы или соединенный с нею при помощи неразъемного соединения и предназначенный для поддержания в ней необходимого вакуума.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
