Детекторный полупроводниковый диод
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
Ток отсечки затвора
Предмет
Электроника, электротехника, радиотехника
👍 Проверено
Автор24
ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток.
Научные статьи на тему «Ток отсечки затвора»
Расчет транзистора
У полевых трансформаторов три электрода: сток, исток и затвор....
Достоинство полевого транзистора заключается в том, что электрический ток затвора (входного электрода...
К основным параметрам полевых транзисторов можно отнести:
Напряжение отсечки....
Напряжения между стоком и затвором, между затвором и истоком, между стоком и истоком....
Резистивный ток должен быть в 5-10 раз больше, чем ток управления базы.
Рисунок 1.
Статья от экспертов
Исследование термостабильности параметров бездрагметалльного GaAs pHEMT транзистора с металлизацией на основе CuGe-соединений
Представлены результаты сравнительного исследования термостабильности параметров по постоянному току и СВЧ-сигналу GaAs pHEMT на основе CuGe омических контактов и Ti/Mo/Cu затвора и GaAs pHEMT, с металлизацией на основе CuGe-соединения, полученного низкотемпературной обработкой в потоке атомарного водорода. Транзистор с CuGe металлизацией и длиной затвора 170 нм имел максимальный ток стока 560 мА/мм, напряжение пробоя затвор-сток 7 В, крутизну 380 мСм/мм при Uси = 3 В. Максимальный коэффициент усиления по току транзистора составлял 16.8 дБ на частоте 10 ГГц при граничной частоте отсечки по току в 80 ГГц. Термоиспытания транзисторов обоих типов, проводившиеся при температуре 250ºC в течение 120 мин в атмосфере азота, показали, что pHEMT с медно-германиевой (CuGe) металлизацией обладает существенно большей термостабильностью электрических параметров, чем транзистор на основе CuGe омических контактов и Ti/Mo/Cu затвора.
Creative Commons
Научный журнал
Биполярные транзисторы, полевые транзисторы, каскад на биполярном транзисторе
эмиттерный переход - обратное смещение, коллекторный прямое), насыщенный режим (оба перехода открыты), режим отсечки...
Электрические токи в биполярных транзисторах имеют две основные составляющие: электрический ток носителей...
Ток основных носителей эмиттера, частично проходящий через коллектор, тем самым образует ток основных...
образует его обратный ток....
Транзисторы с изолированным затвором.
Статья от экспертов
Построение масштабируемой шумовой модели mHEMT на GaAs с Lg от 50 до 250 нм
Разработана управляемая технология создания MHEMT на GaAs с Lg до 50 нм, которая позволила разработать методику и построить масштабируемые малосигнальные эквивалентные схемы и шумовые модели MHEMT с частотой отсечки тока до 300 ГГц. Приводятся результаты моделирования и сравнение этих результатов с измеренными S-параметрами и коэффициентами шумов для транзисторов с шириной Т-образных затворов от 2×30 до 2×80 мкм и длинами от 50 до 250 нм.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Ионный отражатель
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
Резонансный контур
электрическая цепь, которая может проявлять резонанс.
- Ток утечки затвора
- Угол отсечки
- Ток стока при нагруженном затворе
- Затвор
- Обратный ток перехода затвор-исток
- Обратный ток перехода затвор-сток
- Ток затвора МОППТ или МОПБТ (Gate current)
- Напряжение отсечки полевого транзистора
- Затвор воздушный
- Затвор (регулирования)
- Аварийный затвор
- Глубинный затвор
- Дисковый затвор
- Затвор гидросооружения
- Затвор гидротехнический
- Игольчатый затвор
- Клапанный затвор
- Основной затвор
- Откатной затвор
- Плавучий затвор
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
