Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
графическое изображение зависимости одного или нескольких показателей точности или стабильности технологического процесса от времени; различают эмпирическую точностную диаграмму, построенную на основе исследования существующего процесса, и теоретическую точностную диаграмму, построенную на основе статистических расчетов для прогнозирования точности и стабильности технологического процесса.
оценивается через использование контрольных карт, а самая точная оценка стабильности может быть предоставлена точностной...
диаграммой....
Вид точностной диаграммы и тип закона полного распределения позволяют охарактеризовать состояние анализируемого
Представлены результаты расчетно-аналитической оценки допускаемых значений погрешности измерений амплитудно-фазового распределения поля для случая сверхширокополосных и монохроматических измерительных комплексов ближней зоны с планарным сканированием, при которых суммарная погрешность измерений амплитудных диаграмм направленности апертурных антенн не будет превышать заданных значений. Показано, что для восстановления боковых лепестков амплитудных диаграмм направленности апертурных антенн с относительным уровнем минус 40 дБ с погрешностью не более ± 1,2 дБ необходимо обеспечить погрешность измерений амплитудных характеристик сверхкоротких импульсов не более 1,5 % от максимального значения амплитуды и временных характеристик не более 4,5 % от длительности фронта импульса.
Проведен обзор алгоритмов углового сверхразрешения, обладающих возможностью проведения автокалибровки каналов приема, для применения в телекоммуникационных системах с адаптацией диаграмм направленности антенных решеток. Получены точностные характеристики системы оценки угловых координат, функционирующей при наличии переотражателей электромагнитного поля вблизи подвижного объекта
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
прибор для измерения освещенности.
составляющая шума прибора СВЧ, вызванная тепловым движением носителей заряда.