Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
полупроводниковый диод с точечным переходом.
Основные характеристики и типы диодов
Определение 1
Диод — это двухэлектродный электронный компонент...
Данный диод представляет собой вакуумированный баллон с двумя электродами....
Самыми распространенными полупроводниковыми диодами являются диод Эсаки, диод Зенера, светодиод, обращенный...
диод, диод Джеумма, фотодиод, полупроводниковый лазер, диод Ганна, солнечный элемент, диод Шоттки, стабистор...
, точечный диод, смесительный диод, магнитодиод.
Научный и практический интерес представляет изучение полупроводниковых материалов и приборов с узким слоем атомов примесей и/или собственных точечных дефектов кристаллической решетки. Цель работы рассчитать электрические параметры симметричного кремниевого диода, в плоском p-n-переходе которого сформирован δ-слой точечных трехзарядных t-дефектов. Такой диод называется p-t-n-диодом, подобно p-i-n-диоду.Каждый t-дефект может находиться в одном из трех зарядовых состояний (-1, 0, +1; в единицах элементарного заряда). Считается, что при комнатной температуре все водородоподобные акцепторы в p -области и водородоподобные доноры в n-области ионизованы. Принималось, что сечение захвата дырок v-зоны на t -дефекты больше сечения захвата электронов c-зоны на t-дефекты.Численно решена система cтационарных нелинейных дифференциальных уравнений, описывающих в дрейфово-диффузионном приближении миграцию электронов и дырок в полупроводниках. Рассчитаны статические вольт-фарадные и вольт-амперные ха...
Pin диодов.
Светодиодов....
Полупроводниковые диоды
Определение 2
Полупроводниковый диод — это электронный прибор, который...
Пример схемы кремниевого диода изображен на рисунке ниже.
Рисунок 1. Схема кремниевого диода....
По данному признаку различают микросплавные, плоскостные и точечные диоды.
Частотному диапазону....
По данному признаку различают варикапы, стабисторы, стабилитроны, СВЧ-диоды, фотодиоды, светодиоды, диоды
Точечное и векторное представление сигналов токов, напряжений транзистора и диода; влияние частоты дискретизации на вид вольтамперной характеристики; влияние масштаба напряжения на смещение нуля.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
двигатель, у которого глубина пазов сердечника ротора значительно больше ширины, за счет чего усиливается эффект вытеснения тока в наружные слои стержней обмотки при пуске и увеличивается пусковой момент.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне