Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
магнитно-мягкий железный сплав, содержащий ∼30% Ni и добавки Cr, Mn, Si; отличается большим (больше, чем у калмалоя) отрицательным температурным коэффициентом намагниченности в интервале 273−373 К (−0,002 Тл/град).
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.