отношение эквивалентного последовательного сопротивления к емкостному реактивному сопротивлению конденсатору при заданных синусоидальном переменном напряжении и частоте.
диэлектрической проницаемости от напряженности поля, высокие значения удельного сопротивления, невысокий тангенс...
угла диэлектрических потерь -- это те свойства, которые необходимы для производства конденсаторов....
Ответ: При составлении подобных смесей понижается тангенс угла диэлектрических потерь....
составе 56% $BaTiO_{3,\ }$ и 44% $SrTiO_{3,\ }$ при комнатной температуре имеет $\varepsilon =760$ и тангенс...
угла диэлектрических потерь ($tg\delta $) равный 0,0$2$.
Рассмотрены результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований изменения электрофизических характеристик (емкости, тангенса угла потерь, электрического сопротивления изоляции, кратковременной и длительной электрической прочности) высоковольтных импульсных конденсаторов с пленочным диэлектриком при различных вариантах конструкции обкладок.
Радиоматериалы используются для производства антенн, изоляторов, проводов, кабелей, волноводов, резисторов, конденсаторов...
электрическими параметрами, которые должны учитываться при оценке электроизолирующих материалов, являются: тангенс...
угла потерь и диэлектрическая проницаемость....
магнитных материалов основными параметрами являются: последействие, перемагничивание, а также коэффициент потерь...
Конденсатор.
В работе представлена методика экспериментального определения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь смеси семена с.-х. культур – воздух посредством измерения электрической емкости ячейки плоского конденсатора, плотно заполненного семенами в диапазоне частот 1 кГц – 1 МГц
преобразовательное устройство, предназначенное для согласования работы энергосистем с различными частотами, контролируемой передачи электроэнергии, повышения надежности работы энергосистем, а также для обеспечения высокого качества передаваемой электроэнергии.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
