Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
регулярный полимер, молекулы которого могут быть описаны только через один вид конфигурационного повторяющегося звена в единичном последовательном расположении.
Проведено сравнение сорбционной емкости и устойчивости к термоокислительной деструкции изо-тактического ПП, полученного в среде жидкого мономера на гомогенных металлоценовых каталитических системах и гетерогенном титан-магниевом катализаторе. Исследованные полимеры обладают различной сорбционной емкостью по отношению к антиоксиданту фенил-Р-нафтиламину и характеризуются разной продолжительностью периода индукции окисления молекулярным кислородом.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).