Геометрическая ось полупроводникового излучателя
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
изменение светового сопротивления ФЭПП, происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
математическое ожидание длины серии выборок.
составляющая шума прибора СВЧ, вызванная тепловым движением носителей заряда.