Время прохождения сигнала в фотоумножителе
интервал времени между моментом поступления импульса излучения на фотокатод и моментом появления сигнала в цепи анода фотоумножителя.
полупроводниковый прибор с p-n переходом, испускающий некогерентное видимое излучение при пропускании через него электрического тока.
Рассмотрены основные подходы к реализации гибридных (ГЭФ ИС) и монолитных (МЭФ ИС) электрон-фотонных интегральных микросхем с оптической связью на основе кремниевых подложек и показаны основные достижения в этих направлениях. Развиты основы кремний-силицидного подхода для создания кремниевых МЭФ ИС с оптической связью на длине волны 1.5 мкм. Показано, что возможно использовать одну и ту же p-i-n диодную структуру с активным слоем из встроенных нанокристаллов (НК) b-FeSi2 с минимальной толщиной кремниевых прослоек в i-слое в качестве светодиода (СД), фотодиода (ФД) и оптического модулятора при их работе при разных значениях прямого и обратных смещенийThe basic approaches for realization of hybrid (HEP IC) and monolithic (MEP IC) electron-photonic integrated circuits have been observed and majority achievements in these directions have been shown. The basics of silicon-silicide approach for creation of silicon monolithic electron-photonic integrated circuits (Si MEF IC) with optical i...
интервал времени между моментом поступления импульса излучения на фотокатод и моментом появления сигнала в цепи анода фотоумножителя.
камера, содержащая в качестве радиатора газ гелий-3.
фотометр для измерения углового распределения световых характеристик среды или поверхности.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве