Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
термит, применяемый для сварки, содержащий легирующие компоненты для получения металла шва требуемого химического состава.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне