Вспышка (мигание) изображения ЭОП
кратковременное увеличение (уменьшение) яркости изображения на выходе электронно-оптического преобразователя.
Структура полупроводникового прибора (Structure)
Предмет
Электроника, электротехника, радиотехника
👍 Проверено
Автор24
последовательность граничащих областей полупроводника, различных по типу электрической проводимости или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение прибором его функций (р-п, п- р-п, р-п-р, p-i-p, p-n-p-n).
Научные статьи на тему «Структура полупроводникового прибора (Structure)»
Технология изготовления транзисторных структур силовой электроники
Обосновано, что перспективным направлением развития силовой элетроники являются интеллектуальные силовые компоненты: интегрированные силовые микросхемы, ключи и модули. Систематизированы приборы силовой электроники в области коммутируемых токов до 50 А. Обобщены результаты проведенного исследования технологии изготовления структуры полевого полупроводникового транзистора типа КП 961. Решена задача оптимизации технологии изготовления транзисторных структур силовой электроники с целью улучшения выходных характеристик и надежности прибора. Особое внимание уделяется способам повышения надежности, стабильности и долговечности работы транзисторов в различных режимах и условиях эксплуатации. С целью совершенствования технологии были получены расчетные модели формирования областей стоковой и затворной области, проведены экспериментальные исследования. Предложены оптимизированные процессы этапов формирования исследуемой структуры транзистора. Построены графики зависимостей на структурах тран...
Creative Commons
Научный журнал
Исследования свойств многослойной металлизации структур «Кремний на молибдене», полученной методом магнетронного распыления
Актуальность и цели. Межэлементные соединения современных силовых полупроводниковых приборов должны обладать в широком диапазоне рабочих температур минимальными электрическими и тепловыми сопротивлениями, индуктивностью и высокой механической прочностью. Важную роль в технологии таких соединений играют металлические слои, нанесенные составные части силовых полупроводниковых приборов: кремниевые структуры и молибденовые термокомпенсаторы. Они должны обладать высокой прочностью и адгезией к поверхностям кремниевых структур, молибденовых термокомпенсаторов и припоям, которые используются в технологии межэлементных соединений. Целью данной работы является исследование свойств многослойной металлизации поверхностей межэлементных соединений и молибденовых термокомпенсаторов, используемых в структуре «кремний на молибдене» с низкотемпературными соединениями мощных силовых полупроводниковых приборов нового поколения. Материалы и методы. Исследовано несколько вариантов многослойной металлиза...
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Единичный сигнал
то же, что положительный сигнал.
Передаточная характеристика
зависимость выходного напряжения от входного.
- Структура полупроводникового прибора
- Полупроводниковый прибор
- Сетевая структура (network structure)
- Организационная структура (Organizational structure)
- Вывод полупроводникового прибора
- Корпус полупроводникового прибора
- Набор полупроводниковых приборов
- Оптоэлектронный полупроводниковый прибор
- Электрод полупроводникового прибора
- Фоточувствительный полупроводниковый прибор
- Субволновая структура (subwave length structure)
- Анодный вывод полупроводникового прибора
- Излучающий оптоэлектронный полупроводниковый прибор
- Катодный вывод полупроводникового прибора
- Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов
- Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор
- Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов
- Основной вывод полупроводникового прибора
- Силовой полупроводниковый прибор (СПП)
- Управляющий вывод полупроводникового прибора
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
