Геттерный насос электровакуумного прибора
элемент электровакуумного прибора, служащий для поглощения остаточных газов при низких давлениях.
Структура полупроводникового прибора
Предмет
Электроника, электротехника, радиотехника
👍 Проверено
Автор24
последовательность rраничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором его функций.
Научные статьи на тему «Структура полупроводникового прибора»
Алфёров Ж. И., учёный-физик
Алферов заинтересовался квантовой физикой полупроводниковых приборов....
Предложенный учеными лазер был сделан в виде монокристаллической структуры
$p-i-n\ (p^+-n-n^+,\ {\ n}...
($p-n-n^+,\ n-p-p^+$) – структуры с гетеропереходами....
началу 70-х годов Алферов занимается изучением инжекционных лазеров на основе $ n-p-p^+ (p-n-n^+)$ структур...
Гетероструктурные светодиоды применяют в приборах освещения.
Статья от экспертов
Структуры и приборы полупроводниковой спинтроники на основе соединений А3В5
Сделан обзор работ в области спинтроники, проводимых в лаборатории эпитаксиальной технологии НИФТИ ННГУ. Разработанный комбинированный метод МОС-гидридной эпитаксии и лазерного нанесения позволяет формировать структуры, включающие слои полупроводниковых соединений типа А3В5, которые демонстрируют также ферромагнитные свойства. Изложены особенности процессов изготовления спиновых светоизлучающих диодов и приведены их параметры.
Creative Commons
Научный журнал
Полупроводниковые приборы
Классификация полупроводниковых приборов....
Транзисторы
Определение 1
Полупроводниковые приборы – это электронные приборы, действие которых...
Структуре
По принципу действия проводниковые приборы делятся на тиристоры, транзисторы, стабилитроны...
приборов
Действие полупроводниковых приборов основывается на электронных процессах, которые протекают...
Одни из самых широко используемых видов полупроводниковых приборов являются полупроводниковые диоды.
Статья от экспертов
Развитие технологии получения тонкопленочных структур n-InSb-SiO2-p-Si для создания эффективных полупроводниковых приборов
Предложен новый метод получения тонких полупроводниковых слоев n-InSb, позволяющий значительно приблизить слои по параметрам и свойствам к исходному монокристаллу антимонида индия n-типа проводимости. Полагаем, что предложенный метод найдет успешное применение в технологии получения тонких полупроводниковых слоев.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Ёмкостный элемент
идеальный элемент электрической цепи (идеальный конденсатор), обладающий только электрической ёмкостью.
Энергия импульса накачки излучателя лазера
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.
- Структура полупроводникового прибора (Structure)
- Полупроводниковый прибор
- Вывод полупроводникового прибора
- Корпус полупроводникового прибора
- Набор полупроводниковых приборов
- Оптоэлектронный полупроводниковый прибор
- Электрод полупроводникового прибора
- Фоточувствительный полупроводниковый прибор
- Анодный вывод полупроводникового прибора
- Излучающий оптоэлектронный полупроводниковый прибор
- Катодный вывод полупроводникового прибора
- Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов
- Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор
- Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов
- Основной вывод полупроводникового прибора
- Силовой полупроводниковый прибор (СПП)
- Управляющий вывод полупроводникового прибора
- Структура излучения светового прибора
- Охладитель полупроводниковых приборов (Heat sink)
- Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
