Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
случайное нагружение с постоянными характеристиками процесса.
В статье приводится обоснование возможности и области применения уравнения Пэриса-Эрдогана для моделирования развития трещин усталости при случайных процессах нагружения. Приводится методика расчетов, основанная на использовании понятия «базового» случайного процесса и введении эквивалентного коэффициента интенсивности напряжений. Исследуется степень влияния перегрузок на скорость развития трещин. Теоретические положения сопоставляются с результатами экспериментальных исследований трещиностойкости плоских образцов-пластин из сплавов Д16АТ (аналог 2024-Т3) и В95АТВ (аналог 7075-Т6). Нагружение в эксперименте представляло собой стационарные гауссовские процессы.
Целью работы является получение размеров поперечного сечения рамы, работающей на устойчивость, находящейся под воздействием нагрузки, представляющей стационарный случайный процесс. В работе использован энергетический метод. Получено значение размеров круглого поперечного сечения вероятностным методом. Предлагаемая методика позволяет спроектировать раму при случайном ее нагружении при заданной надежности и сроке эксплуатации.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве