Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
легкоплавкий сплав, содержит 34,2% Sn; 46,1% Bi; 19,7% Pb; плавится в интервале температур 369÷383 К.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне