Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
легкоплавкий сплав, содержит 13,3% Sn; 50% Bi; 26,7% Pb; 10% Cd; плавится в интервале температур 343÷346 К.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
полимер этилена [этена].