Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
легкоплавкий сплав, содержит 25% Sn; 50% Bi и 25% Pb; плавится в интервале температур 365÷370 К.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.