Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
вероятность забракования партии продукции, обладающей приемочным уровнем дефектности.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
внутренний элемент газоразрядного прибора для поддержания необходимого давления газа.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».