Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
режим импульсной генерации лазерногоизлучения, при котором накопление энергии производится в лазерной активной среде, а ее вывод осуществляется путем быстрого изменения добротности резонатора от минимальной до максимальной.
Исследован режим пассивной модуляции добротности насыщающимися поглотителями YAG:Cr 4+ и GSGG:Cr 4+ импульсного твердотельного Nd-YAG лазера с многопетлевым резонатором лазера. Продемонстрирована возможность управления пиковой мощностью в диапазоне от 130 кВт до 19 МВт при изменении энергии в цуге генерации в пределах 20%, что позволяет обеспечить одинаковый тепловой режим работы лазера. При этом параметр качества излучения составил M 2 = 1.15 1.4. Достигнута пиковая мощность в импульсе 28 МВт.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
преобразование номера приходящего входного сигнала в выходной двоичный код.
энергия, переносимая излучением импульсной лампы.