Волокновый материал
порошковый материал, изготовленный из порошкового волокна.
процесс образования новых дислокаций при пластической деформации за счет действия источников дислокаций (Франка-Рида, Бардина-Херринга).
свободное скрещивание особей внутри популяции и затруднение скрещивания организмов разных популяций,
дислокация...
популяции ниже определенной плотности приводит ее к гибели, поскольку затрудняется встреча особей для размножения...
Демографические показатели
К демографическим характеристикам популяции относятся скорость размножения...
Скорость размножения определяется в первую очередь физиологическими возможностями организмов, но в определенных
Рассматривается возможность применения концепции дипольного упрочнения эпитаксиальных феррошпинелей при внешних воздействиях, а также при релаксации гетероэпитаксиальных и термических напряжений в процессе синтеза и охлаждения. Проведено сопоставление теории и эксперимента для движения дислокаций в электрическом поле и поле внешних деформаций. Показано, что энергия активации движения дислокаций U~0,5эв, удовлетворительно совпадает с энергией связи дислокаций с примесями, а экспериментально найденная линейная плотность заряда на дислокациях ~10Кл мс - расчетной по теории Эшелби.
Рассматривается эволюция дислокационных ансамблей с двумя системами скольжения под действием внешних стохастических сил. Системы скольжения перпендикулярны друг другу. Ранее методами численного моделирования [1] было установлено, что под воздействием внешних стохастических сил в подобных ансамблях образуются устойчивые структуры -квадруполи. В настоящей работе аналогичные расчеты выполнены с учетом аннигиляции и размножения дислокаций, что позволило расширить применяемость разработанной модели. Показано, что обнаруженные дислокационные структуры могут быть эффективными зародышами трещин.
порошковый материал, изготовленный из порошкового волокна.
сложнолегированные никелевые кислотостойкие сплавы, содержат 18-22% Сr, 6% Mo, 6% Fe, 6% Сu, 3% W, 2% Al, 0,02% Ti.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.