Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
среднеквадратическое отклонение параметров ФЧЭ по недефектным элементам.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
необратимая тонкослойная регистрирующая среда, содержащая светочувствительные наночастицы галогенидов серебра в желатиновой матрице.
лазерное излучение, направленное в пространстве.