Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
значение добротности, вычисляемое для периодической структуры с синусоидальным профилем показателя преломления по формуле; данное значение применяют для категорирования дифракционных оптических элементов по соотношению толщины слоя и периода микроструктуры дифракционного оптического элемента.
Получены выражения для оценки эффективности демпфирующих фильтров третьего порядка в энергетических сетях. На основе полученных выражений приведены графические зависимости при различных параметрах фильтров.
Дана оценка изменения качества передачи вследствие деформации модулей в конструкции оптического кабеля, позволяющая учитывать внешние воздействия в виде низких температур. Получены значения Q-фактора в зависимости от изменения температуры окружающей среды.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
время, прошедшее с момента измерения измеряемой величины или начала принудительного цикла измерения до момента получения нового результата измерения на отсчетном устройстве с нормированной погрешностью.
счетчик нейтронов, содержащий в качестве радиатора газ гелий-3.