Геометрическая ось полупроводникового излучателя
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
значение добротности, вычисляемое для периодической структуры с синусоидальным профилем показателя преломления по формуле; данное значение применяют для категорирования дифракционных оптических элементов по соотношению толщины слоя и периода микроструктуры дифракционного оптического элемента.
Получены выражения для оценки эффективности демпфирующих фильтров третьего порядка в энергетических сетях. На основе полученных выражений приведены графические зависимости при различных параметрах фильтров.
Дана оценка изменения качества передачи вследствие деформации модулей в конструкции оптического кабеля, позволяющая учитывать внешние воздействия в виде низких температур. Получены значения Q-фактора в зависимости от изменения температуры окружающей среды.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».
геометрическое место точек поверхности, в которых освещенность одинакова.