Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
прибор, работа которого зависит от эффективного движение дискретных зарядовых пакетов на поверхности или внутри полупроводникового материала или через соединения на поверхности.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.