Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
пресс-форма, изготовленная таким образом, чтобы излишки материала могли вытекать из формы; этот рант испытывает часть приложенного давления.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
химическоe соединениe элемента с кислородом.