Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
армирующий наполнитель для полимерного композита, которому заранее придана требуемая форма, использующийся для последующей пропитки материалом, образующим матрицу полимерного композита.
Углеи стеклопластики, выполненные на основе плетеных преформ, находят все более широкое применение при изготовлении новых образцов современной техники. Ведущие зарубежные компании Boeing, Airbus, General Electric Aircraft Engines, Snecma и ряд других внедрили такие полимерные композиционные материалы (ПКМ) в производство изделий как для аэрокосмической, так и гражданской продукции. В настоящее время данные технологии используются для изготовления стрингеров, шпангоутов, несущих конструкций авиационной техники, лопастей винтов, элементов фюзеляжа, шасси, трансмиссий, тяг управления и многого другого. Основным преимуществом этих технологий является возможность получения заготовок из любого типа волокон практически неограниченной формы и размеров, создания материалов, которые характеризуются значительным сопротивлением к расслаиванию и удару, высокими показателями долговечности. Работа выполнена в рамках реализации комплексного научного направления 13.2. «Конструкционные ПКМ» («Стратег...
Экспериментально исследуется метод цифровой голографической интерферометрии для дефектоскопии заготовок (преформ) оптического волокна. Дефектоскопия материалов производства волоконных световодов играет важную роль. В данной статье рассматривается процесс цифровой голографической съемки и обработки изображений голограмм. На основе оптической схемы Лейта-Упатниекса разработана схема голографического интерферометра, в котором запись голограммы производится непосредственно на ПЗС матрицу. Проведена серия экспериментов по голографической интерферометрии дефектоскопии заготовок оптического волокна. Голографическая интерферометрия позволяет записывать объекты в разных состояниях. На основании экспериментальных данных изучены возможности метода и обоснована возможность его применения, описаны его преимущества перед другими анализаторами преформ оптических волокон.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
индексы отражающей плоскости n -порядка.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве