Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
режим электровакуумного прибора, в пределах которого обеспечивается работоспособное состояние прибора в течение минимальной наработки в условиях, зависящих от конкретного типа прибора.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
необратимая тонкослойная регистрирующая среда, содержащая светочувствительные наночастицы галогенидов серебра в желатиновой матрице.
рефрактометр, применяемый при геодезических измерениях.