Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
энергия, затрачиваемая на полное перемагничивание материала, характеризующаяся площадью, ограниченной петлей гистерезиса.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.