Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
форма, в которой общее давление прикладывается исключительно к формуемому изделию, и в которой нет возможности удаления излишков формовочного материала.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..
полимер этилена [этена].