Мощность накачки излучателя лазера
мощность, подводимая к излучателю лазера.
устройство, основные электрические характеристики которого обусловлены потоком носителей зарядов внутри одного или более попупроводниковых материалов.
Классификация полупроводниковых приборов....
Транзисторы
Определение 1
Полупроводниковые приборы – это электронные приборы, действие которых...
Полупроводниковые приборы могут классифицироваться по:
Функциональному назначению....
приборов
Действие полупроводниковых приборов основывается на электронных процессах, которые протекают...
Одни из самых широко используемых видов полупроводниковых приборов являются полупроводниковые диоды.
ЗАО «Полупроводниковые приборы» имеет собственное уникальное оборудование и производственные помещения для обеспечения полного цикла производства мощных лазерных диодов, лазерных линеек и модулей, медицинских лазерных аппаратов и твердотельных лазеров с диодной накачкой. Наша продукция и технологии используются в различных областях науки и техники включая накачку твердотельных лазеров, медицину, беспроводную связь, обработку материалов, охранные системы, автоматику и робототехнику, спектроскопию и т. д.
Полупроводниковые приборы
Определение 1
Полупроводниковый прибор – это электронное устройство,...
К полупроводниковым приборам относятся:
Датчики Холла.
Микросхемы (интегральные схемы)....
Полупроводниковые сверхвысокочастотные приборы (диоды Ганна и другие).
Тиристоры и фототиристоры....
Приборы с зарядовой связью.
Транзисторы....
Полупроводниковые приборы предназначены для обработки электрических сигналов, а также преобразования
Представлен краткий итог исследований и разработок, проведённых в НИИПП по направлениям: смесительно-детекторные диоды с барьером Шоттки (ДБШ) и генераторные диоды Ганна (ДГ). Проведённые исследования позволили создать адекватные физико-математические модели ДБШ и ДГ, разработать технологию создания приборных структур и освоить в производстве около ста приборов различного типа, соответствующих современным требованиям по надёжности и уровню основных параметров. Созданные ДБШ в микрокорпусном исполнении, в виде диодов с балочными выводами и чипов с сотовой структурой позволяют создавать эффективные приемные устройства в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Созданы однои многофункциональные модули в КВЧ-диапазоне на основе диодных МИС, что открывает перспективы более интенсивного освоения этого диапазона волн.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
зависимость выходного напряжения от входного.
изолятор, образующий проход для проводника через неизолированную перегородку.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве