Полумостовая схема (Half-bridge circuit)

Моделирования режимов работы и электромагнитных помех преобразователя на GaN транзисторах

В работе исследовано влияние частоты переключения на эффективность работы полумостового преобразователя на GaN транзисторах. Приведены результаты компьютерного моделирования такого преобразователя с учетом потерь на разных частотах. Показано, что предложенная компьютерная модель позволяет определить уровень тока потребления, а, следовательно, и КПД полумостового преобразователя на GaN транзисторах. Моделирование с параметрами, взятыми из схемы от производителя, дает завышенное потребление тока до 2,3 раз. Изменение параметров RC-цепей, задающих интервал «мертвого времени» транзисторов уменьшает погрешность определения тока потребления до менее 5 %. При этом, увеличение продолжительности «мертвого времени» не влияет в значительной степени на точность моделирования несимметричных электромагнитных помех, изменяя их уровень в пределах 3 дБ. В результате исследования установлено, что компьютерная модель имеет достаточную точность для оценочных расчетов, а рассмотрены преобразователи на G...