Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
межфазная граница, на которой сопряжение решеток поддерживается благодаря присутствию дислокаций несоответствия.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.