Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый прибор, в основе работы которого используются подвижные носители зарядов только одного типа – либо электроны, либо дырки; принцип действия полевого транзистора с p-n переходом основан на изменении сопротивления активного слоя (канала) путем расширения p-n перехода при подаче на него напряжения обратного смещения.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
контакт-деталь, жестко или упруго связанная с неподвижной частью устройства.
конденсатор, допускающий смену полярности напряжения на его выводах.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве