заготовка из диэлектрического материала, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных интегральных микросхем, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.
В полупроводниковой интегральной микросхеме все соединения между элементами и сами элементы выполнены...
В пленочной интегральной микросхеме элементы и элементные соединения выполняются в виде пленок....
У гибридной интегральной микросхемы активные элементы - дискретные, а пассивные пленочные....
Количество элементов в больших интегральных микросхемах может составлять более 1000....
В сверхбольшой интегральной микросхеме количество элементов может достигать 100 000.
При реализации меток для систем радиочастотной идентификации наибольший интерес представляет удешевление и уменьшение размеров метки, вплоть до реализации ее внутри интегральной схемы. Целью статьи является изложение результатов исследования свойств интегральных антенн, а так же влияния КМДП технологии на параметры антенн. Приведен анализ влияния металлических, диэлектрических слоев, областей легирования и подложки на основные параметры антенн, рассмотрены геометрическая конфигурация технологической металлизации и пассивирующих слоев. Исследование проведено для разработанных активных меток, работающих в перспективном для систем радиочастотной идентификации диапазоне частот 5,8 ГГц. Разработанные антенны были размещены на тестовых кристаллах размером 5х5 мм2, выполненных по технологии КМДП 0,18 мкм. Предварительные результаты исследования показывают, что применение интегральных антенн позволяет сократить стоимость метки радиочастотной идентификации до стоимости интегральной схемы, уж...
(микросхема) произвольной сложности, которое изготавливается на полупроводниковой подложке и помещается...
В пленочных интегральных микросхемах межэлементные соединения и сами элементы сделаны в виде пленок....
конденсаторы, резисторы) производятся посредством тонко- или толстопленочных технологий на общей керамический подложке...
Развертывание микросхемы....
в подложке.
Рассматривается архитектура широкополосного усилителя на основе классических каскадов с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ), в которую вводится цепь компенсации паразитной емкости коллекторного перехода С кб и емкости на подложку С П. Для повышения верхней граничной частоты (fв) в схему введен параллельный каскад взаимной компенсации импедансов, реализованный на транзисторе по схеме с ОБ и буферном усилителе с единичным коэффициентом передачи. Приводится теоретическое описание предлагаемых усилителей и их компьютерное моделирование в среде P Spice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар» (амплитудно-частотная характеристика при различных значениях ёмкости корректирующего конденсатора). Показано, что рассматриваемое схемотехническое решение особенно актуально для микросхем с топологическими нормами 0,6÷3 мкм (например, «кремний на изоляторе», «кремний на сапфире» и др.), на основе которых выполняются микросхемы с повышенной радиационной стойкостью и расширенным тем...
насос, встроенный внутрь оболочки генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы или соединенный с нею при помощи неразъемного соединения и предназначенный для поддержания в ней необходимого вакуума.
газовый лазер, в котором лазерные переходы происходят между уровнями энергии молекул.
энергия, переносимая излучением импульсной лампы.
