Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок; пленочные интегральные микросхемы могут быть толстопленочными и тонкопленочными.
В пленочной интегральной микросхеме элементы и элементные соединения выполняются в виде пленок....
У гибридной интегральной микросхемы активные элементы - дискретные, а пассивные пленочные....
Количество элементов в больших интегральных микросхемах может составлять более 1000....
В сверхбольшой интегральной микросхеме количество элементов может достигать 100 000....
В такой микросхеме сочетаются преимущества полупроводниковой и пленочной технологий.
Приводится краткая информация о разработке принципиальной схемы звена второго порядка, предназначенной для реализации в виде гибридно-пленочной интегральной микросхемы, на основе которой возможна реализация различных типов фильтров за счет внешней коммутации выводов.
Интегральные устройства
Определение 1
Интегральное устройство – это микроэлектронное устройство...
По технологии изготовления интегральные устройства делятся на полупроводниковые, гибридные, пленочные...
В пленочных интегральных микросхемах межэлементные соединения и сами элементы сделаны в виде пленок....
Данные микросхемы могут быть тонко- и толстопленочными....
Развертывание микросхемы.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
идеальный элемент электрической цепи (идеальный конденсатор), обладающий только электрической ёмкостью.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне