Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
материал, предназначенный для использования его пироэлектрических свойств.
Квантово-химическое моделирование (HF/MP2, базис cc-pVDZ) свойств единичной молекулы дифенил-2,2'',4,4''-тетраамина (ДФТА) позволяет сделать выводы о природе пироэлектрических свойств поликристаллов этого материала, т.к. водородные связи между молекулами в поликристалле слабее внутримолекулярных связей. Анализ микроструктуры фоточувствительных пироэлектрических слоёв ДФТА позволяет предположить, что дипольный момент игольчатых плотно уложенных кристаллитов, ориентированно вытянутых вдоль поверхности плёнки ориентирован перпендикулярно поверхности плёнки. Возможность воспроизводимого управления свойствами ДФТА может быть использована при создании наиболее эффективного пироэлектрического слоя для фотодетекторов инфракрасного диапазона длин волн.
В статье предлагается комплексная модель процесса возникновения разности потенциалов в тонком слое древесины с целью рассмотрения целесообразности использования природной древесины в качестве материала для преобразователей тепловой энергии в электрическую. В настоящее время в области естественных перепадов температур в качестве материалов для термопреобразователей энергии применяются полупроводниковые сплавы: CsBiSb, BiTe, PbTe, SiGe. Эти материалы обладают высокими значениями электропроводности и термо-ЭДС. Однако в последнее время все больший интерес вызывают структуры с нерегулярными включениями, обладающие низкой теплопроводностью. Поэтому широко исследуются термоэлектрические свойства систем с гетерограницами (сверхрешётки, системы с квантовыми ямами, проволочками и точками, композиты с нерегулярными включениями нанометрового размера, пористые полупроводниковые конструкции). Возможность использования в указанных целях природных композитов, таких как древесина, пока исследована ...
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
химическоe соединениe элемента с кислородом.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне