Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
лазерный затвор, действие которого основано на использовании оптических материалов, коэффициент пропускания которых на длине волны лазерного излучения зависит от интенсивности излучения.
Описан метод измерения радиационного времени жизни верхнего лазерного уровня активного элемента в резонаторе твердотельного лазера с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности.
Теоретически исследуются спектрально-энергетические параметры лазерной генерации в кристалле Er:YLF в режиме пассивной модуляции добротности, реализуемой затворами на основе кристаллов Fe:ZnSe.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
восьмиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и пять дополнительных электродов.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне