Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
отжиг, полностью или частично уменьшающий зональныe остаточныe напряжения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.