Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
хрупкость, проявляющаяся в снижении ударной вязкости у некоторых закаленных сталей в результатe нагрева до 723÷873 К (независимо от скорости последующего охлаждения) и в результатe отпуска при температурах вышe 873 К с последующим медленным охлаждением в интервалe температур 873÷723 К; хрупкость называют обратимой, поскольку она исчезает при повторном нагревe до температуры отпуска и быстром охлаждении (например, в воде).
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне