В статье было исследовано влияние термообработки на фактор идеальности (n) и влияние толщины оксидного слоя (dok) на электрические характеристики металл оксидный слой полупроводник (МОП) структур. При присутствии промежуточного окисного слоя коэффициент идеальности n довольно хорошо приближается к единице, т.е. n=1.3. С увеличением толщины промежуточного окисного слоя увеличивается и коэффициент идеальности n, значение которого от 1,2 до 2,25. Отсюда видно, что большое значение коэффициента идеальности свидетельствует о сильном влиянии промежуточного, вероятно, оксидного слоя на механизм тока прохождения. Проведя термические обработки собственных анодных, химических и термических оксидов фосфида индия (InP), мы пришли к выводу, что они по своей химической структуре не являются однофазными и стехиометрическимии их химический состав зависит как от условий получения, так и режимов последующей термической обработки. Неоднородности в области границы раздела металл-полупроводник возникают...
Работа посвящена сравнению особенностей формирования окисных микроструктур при прямой лазерной записи на тонких (порядка 100 нм) пленках циркония, напыленных на подложки из стекла и плавленого кварца, с целью выявления наиболее стабильных и прогнозируемых режимов записи. Было зарегистрировано наличие самоиндуцированных оксидных квазипериодических структур при непрерывной лазерной записи на пленках циркония, напыленных на подложки из стекла. Выявлен эффект образования наноструктур, представляющих собой параллельные трещины в оксидном слое и имеющие период, равный шагу записи (250-500 нм), формирующихся в процессе записи на пленках циркония, нанесенных на кварцевую подложку. Показаны преимущества плавленого кварца как материала подложки при прямой лазерной записи на пленках циркония, благодаря более высокой по сравнению со стеклом температуре размягчения.