Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
охлаждениe металла (изделия) на спокойном воздухe.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне