Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
частица, в которой размещается только один магнитный домен, т.к. из-за малости еe размеров образованиe болеe одного домена энергетически невыгодно.
Исследовано перемагничивание однодоменной одноосной частицы при наличии положительной обратной связи с пассивным резонатором. Показано, что возникающее радиационное трение значительно увеличивает скорость инверсии намагниченности. Построены зависимости времени переворота магнитного момента от коэффициента заполнения, величины статического намагничивающего поля и соотношения собственных частот резонатора и магнитной подсистемы.
В переменном магнитном поле частотой 50 Гц исследова- ны магнитные свойства суспензии гексаферрита бария в трансформаторном масле и в коллоидном растворе магне- тита в качестве дисперсионной среды. Установлено, что на- магниченность суспензии феррита в растворе магнетита не является аддитивной функцией намагниченностей ком- понентов. Остаточная намагниченность суспензии в сре- де феррожидкости примерно в три раза больше чем в среде трансформаторного масла. Коллоидный раствор магнети- та остаточной намагниченности не имеет.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.