ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
включается таким образом, чтобы его эмиттерный переход был смещен прямо (открыт), а коллекторный в обратном...
через открытый переход эмиттер-база в область базы)....
коллектора практически равен току эмиттера, за исключением потерь в рекомбинации, таким образом:
$Iэ...
= Iб + Iк$
где: Iэ, Iб, Iк - электрический ток эмиттера, базы и коллектора соответственно....
передачи по току, обратный ток коллектора, входное сопротивление, время отключения, предельная частота
Тема и цель исследования. Приведены данные о последних достижениях авторов по разработке и исследованию полевых эмиттеров для электронно-пучковых СВЧ приборов миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн. Методы. Описаны методы создания и характеристики представляющих большой практический интерес катодов нового типа: многоострийных кремниевых катодов с двухслойными металлфуллереновыми покрытиями, а также многослойных нано-структурированных катодов, эмиссия которых определяется полями у контакта материалов с разной работой выхода. Для оптимизации катодов и определения их эмиссионных характеристик проводились численные расчеты и экспериментальные исследования. Важнейшие отличительные черты использованных экспериментальных установок: _ возможно оперативное изменение давления от минимального 10 -9-10 -10 Torr до 10 -6 Torr и обратно; _ возможно проведение ряда технологических операций непосредственно в вакуумной камере, в том числе, по нанесению и обработке покрытий; _ возможн...
Обратная ветвь характеристики отражает поведение диода в случае подачи на него напряжения обратной полярности...
Средний обратный ток диода.
Среднее прямое напряжение диода.
Дифференциальное сопротивление диода....
Средний обратный ток демонстрирует средний за период ток через переход в обратном направлении....
будет иметь вид:
$k = Ik/Iэ$
где: Ik - электрический ток коллектора; Iэ - электрический ток эмиттера...
:
$Rвх = Uбэ/Iб$
С общим коллектором:
$Rвх = (Uбэ+Uкэ) / Iб$
где: Uэб - напряжение база-эмиттер; Uкэ
Рассмотрены методы проектирования сбоеустойчивых цифровых биполярных интегральных микросхем с воздействием на них таких радиаций как гамма-, рентгеновского и нейтронного излучения, а так же воздействие нейтронного импульса, которые влияют в значительной степени на коэффициенты усиления транзисторов. Представлен режим работы интегральных микросхем с изменением начальных значений напряжений, а так же токов эммитера и базы. Рассмотрены численные расчеты величин ионизационного тока в база-коллекторном переходе, которые позволяют предварительно рассчитать мощность дозы гамма-, рентгеновского и нейтронного излучения. Представлены расчеты величин ионизационных токов, позволяющие решать системы нелинейных дифференциальных уравнений непрерывности и плотности тока для основных и неосновных носителей с учетом влияния на перенос носителей нестационарных электрических полей, возникающих во время протекания ионизационных токов по объему полупроводника, а так же изменения времени жизни неравновесн...
насос, встроенный внутрь оболочки генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы или соединенный с нею при помощи неразъемного соединения и предназначенный для поддержания в ней необходимого вакуума.
сумма отношений длин однородных по сечению участков магнитной цепи ферритового (магнитодиэлектрического) сердечника к квадрату своего сечения.
электрический ток, значение которого превышает заданное предельное значение.
