Геометрическая ось полупроводникового излучателя
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
наибольшее значение напряжения, приложенного в обратном направлении к выходу оптопары в закрытом состоянии фотоприемного элемента.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
лазерное излучение, направленное в пространстве.
область проводимости между двумя электродами газоразрядного прибора.