Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
метод удаления скрытых поверхностей. основанный на использовании ограничивающих объект апертур, а также на поиске и удалении из модели объекта скрытых элементов, невидимых в пределах этих апертур.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
лазерное излучение, направленное в пространстве.
математическое ожидание длины серии выборок.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве