Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дб от значения на заданной частоте.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
величина обратная сопротивлению.