Геометрическая ось полупроводникового излучателя
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП, измеренной при перемещении в пределах ФЧЭ оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
математическое ожидание длины серии выборок.
составляющая шума прибора СВЧ, вызванная тепловым движением носителей заряда.