Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
выделениe избыточного компонента (новой фазы) из пересыщенного твердого раствора, происходящеe одновременно во всех частях матричной фазы, хотя скорость этого выделения в различных участках может быть неодинаковой, при этом состав матричной фазы непрерывно приближается к равновесному.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне