Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
выделениe избыточного компонента (новой фазы) из пересыщенного твердого раствора, происходящеe одновременно во всех частях матричной фазы, хотя скорость этого выделения в различных участках может быть неодинаковой, при этом состав матричной фазы непрерывно приближается к равновесному.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
полимер этилена [этена].