Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
магнитоионная составляющая эллиптически поляризованной радиоволны, траектория которой зависит от структуры магнитного поля земли, а направление вращения поляризации является обратным направлению обыкновенной радиоволны.
Проведены численные расчеты многоскачковых лучевых траекторий и поглощения коротких радиоволн в ионосфере. Изучено влияние трехмерной неоднородности ионосферы и кривизны поверхности Земли на формирование лучевых траекторий и поглощения обыкновенных и необыкновенных волн. Анализ траекторий и поглощения радиоволн выполнен для условий среднеширотной и низкоширотной ионосферы в зависимости от выбора частоты волны, сезона, положения передатчика и направления излучения.
Методом бихарактеристик рассмотрены особенности распространения радиоволн в ионосферной плазме при наличии поперечных горизонтальных градиентов. Выполнено численное моделирование распространения в изотропном случае и в анизотропной плазме для обыкновенной и необыкновенной волны. Проанализированы возникающие каустические структуры.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
конденсатор, допускающий смену полярности напряжения на его выводах.
контуры сигнального графа, не имеющие общих узлов.